cmos sti
▫CMOSIC晶片通常使用晶圓.▫二極體和BiCMOS晶片通常使用晶圓...STI:STI光罩.8.STI:氮化矽、氧化矽及矽之蝕刻,光阻剝除.P型磊晶層.P型晶圓.N型 ...,CMOSIntegration.•Devicesarebuiltintoacommonp-typesubstrate(wafer).•ShallowTrenchIsolation(STI)provideselectri...
CMOS淺溝槽隔離氧化層之高度差對元件特性之研究
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation解釋
- sti etch back
- shallow trench isolation半導體
- shallow trench isolation 用途
- locos
- shallow trench isolation製程
- 淺溝槽隔離
- shallow trench isolation process flow
- 淺溝渠隔離
- shallow trench isolation中文
- deep trench isolation process
- shallow trench isolation wiki
- sti divot formation
- shallow trench isolation wiki
- deep trench isolation process
- shallow trench isolation半導体
- 淺溝槽隔離
- locos sti比較
- sti locos
- cmos sti
- deep trench isolation
- cmos sti
- hump effect
- shallow trench isolation oxide thickness leakage
本研究探討場發射金屬氧化半導電晶體(MOSFET)淺溝槽隔離絕緣層(ShallowTrenchIsolation,STI)與鄰近電晶體主動區的高度差(Step-height)對元件特性的影響。
** 本站引用參考文章部分資訊,基於少量部分引用原則,為了避免造成過多外部連結,保留參考來源資訊而不直接連結,也請見諒 **